Intel и Micron разширяват лидерството при NAND Flash технологиите

Intel и Micron разширяват лидерството при NAND Flash технологиите
и въвеждат най-малкия в индустрията и най-усъвършенстван
20nm технологичен процес

Ново устройство, произведено по 20nm технологичен процес с 8 гигабайта памет предоставя най-високия капацитет в най-малкия формат за таблети, смартфони, SSDта и други потребителски и компютърни устройства

Intel и Micron предоставят най-малкия в индустрията, най-усъвършенстван NAND flash 20nm технологичен процес.
IMFlash Technologies е лидер в индустрията с 20nm технологичен процес и бърз преход в цялата мрежа от фабрики
С размери от само 118mm2,, MLC NAND устройството с капацитет от 8GB осигурява голям капацитет за смартфони, таблети, твърдотелни дискове и други.

София, 15 април 2011 г. – Intel Corporation и Micron Technology Inc. днес представиха нов, по-фин 20 nm технологичен процес за производство на NAND флаш памет. По новия 20nm процес се произвежда multi-level cell (MLC) NAND флаш устройство с капацитет от 8 GB, което осигурява по-голям капацитет в малък формат за съхранение на музика, видео, книги и друга информация върху смартфони, таблети и компютърни решения като твърдотелни дискове (SSDs).
Нарастването на обема за съхранението на данни, в комбинация с подобренията на характеристиките за таблети и смартфони, създава ново търсене за NAND флаш технолоията, особено за решения с по-голям капацитет в по-малък формат. Размерите на новото 20nm устройство с капацитет то 8GB са само 118 mm2, което води до намаляване на пространството, което заемат с от 30% до 40% (в зависимост от вида на пакета), в сравнение с настоящите 25nm 8GB NAND устройства на компанията. Намаляването на пространството за съхранение на данни върху флаш устройството осигурява по-високо ниво на ефективност на системата, като позволява на производителите на таблети и смартфони да използват допълнителното пространство за усъвършенстване на крайните продукти с например по-голяма батерия, по-широк екран,или добавяне на друг чип, който да оперира с нови характеристики.
Произведено от IM Flash Technologies (IMFT), съвместното дружество за NAND flash на Intel и Micron, новото 20nm NAND флаш устройство с капацитет 8GB е пробив в NAND производството и технологичния дизайн, като разширява лидерството на компанията в сферата на литографията. Намаляването на размера на NAND литографията до този технологичен пункт е най- ценовоефективния метод за увеличаване на продукцията на фабриката, като осигурява приблизително 50% повече GB капацитет от тези фабрики, в сравнение с работата по настоящата технология. Новият 20nm процес поддържа сходна производителност и издържливост като при предишното поколение, произведено по25nm NAND технология.
“Близкото сътрудничество с клиентите е една от основните ценности на Micron и чрез тези усилия ние непрекъснато разкриваме завладяващи възможности за дизайн на крайни продукти за NAND флаш съхранение на данни,” каза Глен Хоук, вицепрезидент Micron NAND Solutions Group. “Нашите възможности иновации и растеж продължават с 20nm NAND процес, който дава възможност на Micron да предоставя за своите клиенти ценовоефективни твърдотелни решения с добавена стойност за съхранение на данни.”
“Нашата цел е да направим достъпа до информацията по света незабавен и удобен,” каза Том Рампоне, вицепрезидент и генерален директор, Intel Non-Volatile Memory Solutions Group. “Водещата в индустрията NAND технология дава възможност на Intel да осигурява на своите клиенти най-високо качество и най-ефективни ценови решения поколение след поколение. Съвместното дружество на Intel и Micron е модел за производствената индустрия, тъй като ние продължаваме да сме лидери в технологичния процес и да осъществяваме бързи преходи на цялата наша мрежа от фабрики към все по-малък размер на литографията.”
Мостри на устройството по 20nm, 8GB се изпращат сега на клиенти, като се очаква да влезе в масово производство през втората половина на 2011 г. По същото време Intel и Micron очакват да обявят мостра на устройство с 16GB капацитет, което създава капацитет от 28GBs в единично твърдотелно решение с размер по-малък оттози на пощенска марка.

За Micron
Micron Technology, Inc., е един от водещите световни достравчици на съвременни полупроводникови решения.
Чрез своите локации по света Micron произвежда и съставя пълна гама от DRAM, NAND и NOR флаш памети, както и други иновативни технологии за памети, опаковки и системи от полупроводници за приложение във водещите компютърни технологии, потребителски, мрежови, embedded и мобилни продукти. Обикновените акции на Micron се търгуват на NASDAQ с индекс MU. За повече информация за Micron Technology Inc., моля посетете http://www.micron.com.

За Intel
Intel (NASDAQ: INTC) е световен лидер в компютърните иновации. Компанията проектира и изгражда основните технологии, които служат за основа на компютърните устройства по света.
Intel и логото на Intel са търговски марки на Intel Corporation в САЩ и други страни.
©2011 Micron Technology, Inc. и Intel Corporation. Всички права запазени. Информацията е предмет на промяна без предупреждение.
Micron и логото на Micron са търговски марки на Micron Technology, Inc. това прес съобшение съдържа изявления за бъдещето по отношение производството на 20nm, 8GB и 16GB NAND устройства. Действителните събития или резултати могат съществено да се различават от тези, съдържащи се в изявленията за бъдещето. Моля, обърнете се към документите, които Micron подава периодично в Комисията по ценните книжа и борсите на консолидирана основа, и специално на най-новите формуляри Form 10-K и Form 10-Q на Micron. Тези документи съдържат и идентифицират важни фактори, които биха могли да предизвикат съществена разлика в действителните резултати на Micron на консолидирана база от тези, съдържащи се в нашите изявления за бъдещето (моля вижте Определени фактори). Макар да вярваме, че очакванията, отразени в изявления за бъдещето са разумни, ние не можем да гарантираме бъдещи резултати, нива на активност, производителност или постижения.

За допълнителна информация за Intel, моля, посетете:www.intel.com/pressroom.